Hochwertiger 808nm 35W 400um Halbleiter-Stabdiodenlaser
Bei diesem BLD-F808-35-400-22N0-Modul handelt es sich um Hochleistungs-808-nm-Diodenlaser, die auf der Single-Emitter-Chip-Technologie basieren.

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Eigenschaften
808nm Einfach emittierender Laser;
35W Ausgangsleistung;
400/440μm 0,22NA Faser;
Hohe Helligkeit;
RoHS-Konformität.

Anwendungen
Medizinische Versorgung;
Pumpquelle;
Materialbearbeitung.

Elektrooptische Parameter

Parameter

Symbol

Min

Typical

Max

Unit

Betriebs ausgabe leistung

Pout

35.0

-

 

W

Bereich der verfügbaren wellenlänge

λ

805

808

811

nm

Spektrale breite @ FWHM

Δλ

 

3.5

-

nm

Schwelle strom

Ith

-

1.0

1.5

A

Betriebs strom at Pout

Iop

 

9.0

10.0

A

Vorwärts- stromspannung at Pout

Vf

 

9.0

-

V

Leistung umwandlung effizienz

-

 

40%

 

-

Steigung effizienz

η

 

4.5

 

W/A

Wellenlängen temperatur koeffizient

Δλ/ΔT

 

0.3

-

nm/℃

Faser kern / Mantel durchmesser

DCOR

 

400/440

 

µm/µm

Numerische apertur der faser

NA

 

0.22

 

-


Paket
Original Kartonverpackung;
Als Anforderung der Kunden.

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