Niedriger Dunkelstrom 3.2mm UV-Silizium 200~1100nm Fotodetektor
SiC UV-Breitband-Fotodiode mit großem hermetisch abgedichtetem TO5-Metallgehäuse - 3,2 mm2 Detektorfläche.

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Descripción Feedback
Eigenschaften
Hohe Zuverlässigkeit, geringer Dunkelstrom;
Top Beleuchtung Planar PIN PD;
Aktiver Durchmesser 3.2x3.2mm;
200-1100 nm Spektralbereich;
Hermetische TO5 Dose mit UV-Fenster oder mit Behälter.

Anwendungen
Optischer Sensor;
Optische Messgeräte;
Industrielle automatische Steuerung;
Wissenschaftliche Analyse und Experiment;
Raumlichterkennungsausrüstung;
Testen des Antwortspektrums.

Elektrooptische Parameter

Parameters

Symbol

Test-Bedingungen

Wert

Einheit

Erfassungsbereich

λd

-

200 ~ 1100

nm

Bereich erkennen

Φ

-

3.2 x 3.2

mm

Reaktionsfähigkeit

Re

VR=5V,λ=200nm

0.07

mA/mW

VR=5V,λ=650nm

0.38

VR=5V,λ=1064nm

0.30

Dunkle Strömung

ID

VR=0V

50

pA

VR=5V

1.5

nA

Reaktionszeit

TR

RL =50Ω,VR =5V

5

ns

Sperrspannung umkehren

VBR

IR=10uA

100

V

Verbindungskapazität

Cj

f=1MHz, VR=0V

100

pF

Cj

f=1MHz, VR=5V

21

Gesättigte optische Leistung

PS

VR =5V

25

mW

Betriebsspannung

VR

-

0-15

V

Shunt-Widerstand

Rsh

VR =10mV

200

Paket

Hermetische TO5 Dose mit UV-Fenster


Paket
Original Kartonverpackung;
Als Anforderung der Kunden.

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