850nm 10mW VCSEL Diode
850nm 10mW VCSEL Diode, 850nm einzelner Längsmodus; Oxidsolationstechnologie; kleine Emissionsfläche; Leicht zu kollimieren; Modulation und Breite >2GHz.

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1. Merkmale:
850nm single longitudinal mode;
Oxidsolationstechnologie;
kleine Emissionsfläche;
Leicht zu kollimieren;
Modulation und Breite >2GHz.
2. Anwendungen:
Näherungssensoren;
Unterhaltungselektronik;
aktive optische Kabel;
Medizinische Anwendungen;
Entfernungsmesser.

3.Electro-Optische Eigenschaften (25℃ Lasertemperatur)

Parameter

Symbol

Prüfbedingungen

Min.

Typ.

Max.

Einheit

Optische Ausgangsleistung

Po

IF = 11mA

-

10

-

mW

Schwellenstrom

ITH

-

-

1.1

-

mA

Steigungseffizienz

η

-

-

1.01

-

W/A

Leistungsumwandlungseffizienz

PCE

-

-

38

-

%

Mittelwellenlänge

λP

PO = 10mW

840

850

860

nm

Laser-Vorwärtsspannung

VF

IF = 11mA

-

2.5

2.7

V

Reihenwiderstand

RS

IF = 11mA

-

60

-

Ω

Emissionsbereich

-

-

-

Φ12

-

um

Strahlendivergenz

( 1/e^2)

θ

IF = 11mA

 

20

-

 

Deg.

FWHM

-

-

16

 

Wellenlängenverschiebung

∂λP /∂T

IF = 11mA

-

-

0.07

 
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