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Leistungsstarke 1350-nm-InGaAsP-Laserdiode mit TO56-Flachfensterpaket
Box optronics technologie für die Bereitstellung der CWDM TO56-Verpackungs- und -Prüfservices für optoelektronische Komponenten.

Nombre del archivo: Formato: tamaño:

Descripción Feedback
Eigenschaften
Epoxid-Die-Bonding;
Eutektisches Die-Bonden;
Drahtbonden;
Kappen- / Dichtheitsprüfung;
Einbrenntests;
TO56 O / E-Prüfung.

Anwendungen
2.5 / 10 Gbit / s Glasfaserübertragung;
Optische Kommunikations-Transceiver;
Speicherbereichsnetze;
Faseroptische Sensoren;
Glasfasertest und -messung.

Elektrooptische Parameter

Parameter

Symbol

Test-Bedingungen

Min.

Typ.

Max.

Einheit

Schwellenstrom

Ith

CW

 -

7

15

mA

CW,TC=85℃

-

-

40

Ausgangsleistung

PO

CW, If=Ith+20mA

-

6

 -

mW

Betriebsspannung

Vop

CW, If=Ith+20mA

-

0.95

1.5

V

Spitzenwellenlänge

λp

CW, If=Ith+20mA

1347

1350

1353

nm

Seitenmodus-Unterdrückungsverhältnis

SMSR

CW, If=Ith+20mA

35

40

-

dB

Anstiegszeit / Abfallzeit

tr/tf

CW, If=Ith+20mA, 20%-80%

-

80

200

ps

Überwachungsstrom (PD)

Im

CW, If=Ith+20mA, VRD=1V

0.1

0.3

1.0

mA

Dunkelstrom (PD)

Id

VRD=10V

-

-

1.0

μA

Fokuslänge

F

2.0mm ball lens cap

7.0

7.5

7.8

mm


Paket
Original Kartonverpackung;
Als Anforderung der Kunden.

Versand
5-10 Werktage nach erhalten die Zahlung;
Versand: Lufttransport (DHL / UPS / TNT / Fedex / EMS / CHINA POST);
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