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1mm aktive Fläche 800-2600 nm Fotodiode für Gasanalysator
Der Fotodetektor basiert auf einem GaAs-Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MESFET) mit sehr hoher Empfindlichkeit, ausgezeichneter Quantenausbeute, hoher Empfindlichkeit, mäßiger Geschwindigkeit, enormer Verstärkung und geringer Verlustleistung und übertrifft deren Fotodiode, Fototransistor und andere Gegenstücke.

Nombre del archivo: Formato: tamaño:

Descripción Feedback
Eigenschaften
Geräuscharm, hohe Zuverlässigkeit;
Topillumination planar PIN PD;
1mm aktiver Bereich;
Schneiden Sie die Wellenlänge auf 2.6um ab.

Anwendungen
Gasanalysator;
Umgebungsmessung;
Wissenschaftliche Analyse und Experiment;
Raumlichterkennungsausrüstung;
Optischer Leistungsmesser;
NIR-Photometrie;
Lichtleitersensor.

Elektrooptische Parameter

Parameter

symbol

Einheit

Wert(typ.)

Aktiver Durchmesser

Φ

mm

1

Spektralbereich

λ

nm

800-2600

Reaktionsfähigkeit

Re (VR=0.5V,λ=1310nm )

mA/mW

0.5

 

Re(VR=0.5V,λ=2300nm)

mA/mW

1.1

Reaktionszeit

Tr (RL=50Ω, VR=0.5V)

ns

100

Dunkle Strömung

ID(VR=0.5V)

uA

5

Durchbruchspannung umkehren

VBR (IR=10uA)

V

1

Übergangskapazität

Cj (f=1MHz, VR=0.5V)

nF

0.5

Betriebsspannung

VR

v

0-0.5

Nebenschlussimpedanz

Rsh (VR=10mV)

KΩ

3

Paket

TO-46


Paket
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Als Anforderung der Kunden.

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