1mm aktive Fläche 800-2600 nm Fotodiode für Gasanalysator-Box Optronics Technologieunternehmen

1mm aktive Fläche 800-2600 nm Fotodiode für Gasanalysator

Der Fotodetektor basiert auf einem GaAs-Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MESFET) mit sehr hoher Empfindlichkeit, ausgezeichneter Quantenausbeute, hoher Empfindlichkeit, mäßiger Geschwindigkeit, enormer Verstärkung und geringer Verlustleistung und übertrifft deren Fotodiode, Fototransistor und andere Gegenstücke.

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Eigenschaften

Geräuscharm, hohe Zuverlässigkeit;

Topillumination planar PIN PD;

1mm aktiver Bereich;

Schneiden Sie die Wellenlänge auf 2.6um ab.

Anwendungen

Gasanalysator;

Umgebungsmessung;

Wissenschaftliche Analyse und Experiment;

Raumlichterkennungsausrüstung;

Optischer Leistungsmesser;

NIR-Photometrie;

Lichtleitersensor.

Elektrooptische Parameter

Parameter	symbol	Einheit	Wert(typ.)
Aktiver Durchmesser	Φ	mm	1
Spektralbereich	λ	nm	800-2600
Reaktionsfähigkeit	Re (V_R=0.5V,λ=1310nm )	mA/mW	0.5
	Re(V_R=0.5V,λ=2300nm)	mA/mW	1.1
Reaktionszeit	Tr (R_L=50Ω, VR=0.5V)	ns	100
Dunkle Strömung	ID(V_R=0.5V)	uA	5
Durchbruchspannung umkehren	V_BR (I_R=10uA)	V	1
Übergangskapazität	Cj (f=1MHz, V_R=0.5V)	nF	0.5
Betriebsspannung	V_R	v	0-0.5
Nebenschlussimpedanz	Rsh (V_R=10mV)	KΩ	3
Paket	TO-46

Paket

Original Kartonverpackung;

Als Anforderung der Kunden.

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