3mm2 Si PIN Dioden Fotodiode
Die Si-PIN-Fotodiode liefert eine Hochgeschwindigkeitsantwort von mehr als 1 GHz bei niedriger Vorspannung (VR = 2 V). Die niedrige Kapazität (weniger als 1 pF) macht es ideal für die Kombination mit Hochgeschwindigkeits-Transimpedanzverstärkern.

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Descripción Feedback
Eigenschaften
Hohe Verantwortung und hohe Zuverlässigkeit,
Geringe Kapazität,
Niedriger Dunkelstrom,
TO5 flaches Fenster hermetisches Paket.

Anwendungen
Optische Leistungsmessung / -überwachung;
Optischer sensor.

Elektrooptische Parameter

Parameter

Symbol

Bedingungen

Min.

Typ.

Max.

Einheit

Verantwortung@900

R

Vr= 0V

0.54

-

-

A/W

Dunkle Strömung

Id

Vr= -1V

-

 15

40

nA

Wellenlänge

λ

-

350

900

1100

nm

Aktiver Bereich

φ

-

-

 3x3

-

mm^2

Bandbreite

fc

-

-

-

-

GHz

Kapazität

C

Vr= 0V

-

15

-

pf

Betriebsspannung

Vr

-

-

-

0.9

V

Betriebstemperatur

Top

-

-40

-

+85

℃

 Lagertemperatur

Tst

-

-50

-

+100

℃

Paket
Original Kartonverpackung;
Als Anforderung der Kunden.

Versand
5-10 Werktage nach erhalten die Zahlung;
Versand: Lufttransport (DHL / UPS / TNT / Fedex / EMS / CHINA POST);
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Zahlung
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Für kleine Bestellungen werden Paypal akzeptiert.
 
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