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Hochgeschwindigkeits 230um Si Halbleiter 900nm APD Lawinenphotodiode
Die si-APDs bieten niedrige Kosten und hohe Leistung für Anwendungen, die eine schnelle und rauscharme Photonendetektion von 400 nm bis 1100 nm erfordern. Diese Silizium-APDs zeichnen sich durch geringes Rauschen, hohe Quanteneffizienz und hohe Verstärkung aus, während die Betriebsspannung relativ niedrig gehalten wird.

Nombre del archivo: Formato: tamaño:

Descripción Feedback
Eigenschaften
Hohe Zuverlässigkeit, geringer Dunkelstrom;
Top Beleuchtung Planar APD;
High Gain bis zu M = 300;
Wellenlänge 400-1100 nm;
TO46-Can hermetisches Gehäuse oder Faserkupplung.

Anwendungen
Optische Erkennung schwacher Impulse;
Laser-Lidar, Laser-Entfernungsmessung;
Lichtleitersensor, OTDR;
Hochauflösende optische Kohärenztomographie;
Wissenschaftliche Analyse und Experiment.

Elektrooptische Parameter

Parameters

Symbol

Test-Bedingungen

Min.

Typ.

Max.

Einheit

Erfassungsbereich

λ

-

400~1100  

nm

Bereich erkennen

Φ

-

230

μm

Reaktionsfähigkeit

Re

λ=905nm,φe=1μw, M=1

-

0.5

-

A/W

Multiplikationsgewinn

M

λ=905nm,φe=1μw,VBR-30V

-

60

-

 

λ=905nm,φe=1μw,VBR-18V

-

100

-

 

λ=905nm,φe=1μw,VBR-3V

-

300

-

 

Reaktionszeit

TR

f=1MHz,RL=50Ω,λ=905nm

 

0.2

 

ns

Dunkle Strömung

ID

M=100

 

0.05

1

nA

Paket

TO46-Can hermetisches Gehäuse oder Faserkupplung


Paket
Original Kartonverpackung;
Als Anforderung der Kunden.

Versand
5-10 Werktage nach erhalten die Zahlung;
Versand: Lufttransport (DHL / UPS / TNT / Fedex / EMS / CHINA POST);
Die Versandkosten hängen von Gewicht und Größe ab.


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