Niedriger Dunkelstrom 3.2mm UV-Silizium 200~1100nm Fotodetektor-Box Optronics Technologieunternehmen

Niedriger Dunkelstrom 3.2mm UV-Silizium 200~1100nm Fotodetektor

SiC UV-Breitband-Fotodiode mit großem hermetisch abgedichtetem TO5-Metallgehäuse - 3,2 mm2 Detektorfläche.

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Eigenschaften

Hohe Zuverlässigkeit, geringer Dunkelstrom;

Top Beleuchtung Planar PIN PD;

Aktiver Durchmesser 3.2x3.2mm;

200-1100 nm Spektralbereich;

Hermetische TO5 Dose mit UV-Fenster oder mit Behälter.

Anwendungen

Optischer Sensor;

Optische Messgeräte;

Industrielle automatische Steuerung;

Wissenschaftliche Analyse und Experiment;

Raumlichterkennungsausrüstung;

Testen des Antwortspektrums.

Elektrooptische Parameter

Parameters	Symbol	Test-Bedingungen	Wert	Einheit
Erfassungsbereich	λ_d	-	200 ~ 1100	nm
Bereich erkennen	Φ	-	3.2 x 3.2	mm
Reaktionsfähigkeit	Re	V_R=5V,λ=200nm	0.07	mA/mW
		V_R=5V,λ=650nm	0.38
		V_R=5V,λ=1064nm	0.30
Dunkle Strömung	I_D	V_R=0V	50	pA
Dunkle Strömung	I_D	V_R=5V	1.5	nA
Reaktionszeit	T_R	R_L =50Ω,V_R =5V	5	ns
Sperrspannung umkehren	V_BR	I_R=10uA	100	V
Verbindungskapazität	Cj	f=1MHz, V_R=0V	100	pF
Verbindungskapazität	Cj	f=1MHz, V_R=5V	21	pF
Gesättigte optische Leistung	P_S	V_R =5V	25	mW
Betriebsspannung	V_R	-	0-15	V
Shunt-Widerstand	R_sh	V_R =10mV	200	MΩ
Paket	Hermetische TO5 Dose mit UV-Fenster

Paket

Original Kartonverpackung;

Als Anforderung der Kunden.

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