Made in China verbesserte Silizium 1064nm 800um Lawinenphotodiode mit aktivem Bereich-Box Optronics Technologieunternehmen

Made in China verbesserte Silizium 1064nm 800um Lawinenphotodiode mit aktivem Bereich

Silicon Avalanche Photodetectors (APD) bieten eine höhere Empfindlichkeit und ein geringeres Rauschen und sind daher ideal für Anwendungen mit geringer optischer Leistung.

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Eigenschaften

Hohe Zuverlässigkeit, geringer Dunkelstrom;

Top Beleuchtung Planar APD;

High Gain bis zu M = 400;

1064nm Empfindlichkeit 0.37A/W;

Hermetische TO5-CAN.

Anwendungen

Ultraschwache optische Pulserkennung;

Laser-Lidar, Laser-Entfernungsmessung;

Lichtleitersensor, OTDR;

Hochauflösende optische Kohärenztomographie;

Wissenschaftliche Analyse und Experiment.

Elektrooptische Parameter

Parameters	Symbol	Test-Bedingungen	Min.	Typ.	Max.	Unit
Erfassungsbereich	λ	—	400～1100			nm
Bereich erkennen	φ	—	800			μm
Reaktionsfähigkeit	Re	λ=905nm,1μw, M=1		0.65		A/W
Reaktionsfähigkeit	Re	λ=1064nm, 1μw, M=1		0.37		A/W
Multiplikationsgewinn	M	λ=1064nm, 1μw, 0.8V_BR		100
Multiplikationsgewinn	M	λ=1064nm, 1μw, 0.85V_BR		200
Reaktionszeit	Tr	M=100,RL=50Ω,λ=1064nm	.	3		ns
Gesamtkapazität	Ctot	M=100,f=1MHz		1.5		pF
Durchbruchspannung umkehren	VBR	I_R=10uA	220	280	580	V
Paket	TO5-CAN

Paket

Original Kartonverpackung;

Als Anforderung der Kunden.

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