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Made in China verbesserte Silizium 1064nm 800um Lawinenphotodiode mit aktivem Bereich
Silicon Avalanche Photodetectors (APD) bieten eine höhere Empfindlichkeit und ein geringeres Rauschen und sind daher ideal für Anwendungen mit geringer optischer Leistung.

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Descripción Feedback
Eigenschaften
Hohe Zuverlässigkeit, geringer Dunkelstrom;
Top Beleuchtung Planar APD;
High Gain bis zu M = 400;
1064nm Empfindlichkeit 0.37A/W;
Hermetische TO5-CAN.

Anwendungen
Ultraschwache optische Pulserkennung;
Laser-Lidar, Laser-Entfernungsmessung;
Lichtleitersensor, OTDR;
Hochauflösende optische Kohärenztomographie;
Wissenschaftliche Analyse und Experiment.

Elektrooptische Parameter

Parameters

Symbol

Test-Bedingungen

Min.

Typ.

Max.

Unit

Erfassungsbereich

λ

—

400~1100

nm

Bereich erkennen

φ

—

800

μm

 

Reaktionsfähigkeit

 

Re

λ=905nm,1μw, M=1

 

0.65

 

A/W

λ=1064nm, 1μw, M=1

 

0.37

 

A/W

 

Multiplikationsgewinn

 

M

λ=1064nm, 1μw, 0.8VBR

 

100

 

 

λ=1064nm, 1μw, 0.85VBR

 

200

 

 

Reaktionszeit

Tr

M=100,RL=50Ω,λ=1064nm

.

3

 

ns

Gesamtkapazität

Ctot

M=100,f=1MHz

 

1.5

 

pF

Durchbruchspannung umkehren

VBR

IR=10uA

220

280

580

V

Paket

TO5-CAN


Paket
Original Kartonverpackung;
Als Anforderung der Kunden.

Versand
5-10 Werktage nach erhalten die Zahlung;
Versand: Lufttransport (DHL / UPS / TNT / Fedex / EMS / CHINA POST);
Die Versandkosten hängen von Gewicht und Größe ab.


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Für große Aufträge: T/T, Kreditkarte;
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