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Diodos vcsel de 850 nm 10 MW
Diodos vcsel de 850 nm 10 mw, modo longitudinal único de 850 nm; Tecnología de aislamiento de óxido; El área de descarga es pequeña; Fácil alineación; Modulación y ancho > 2 ghz.

Nombre del archivo: Formato: tamaño:

Realimentación
1. características:
Modo longitudinal único de 850 nm;
Tecnología de aislamiento de óxido;
El área de descarga es pequeña;
Fácil alineación;
Modulación y ancho > 2 ghz.
2. aplicaciones:
Sensores de proximidad;
Productos electrónicos de consumo;
Cable de fibra óptica activo;
Aplicaciones médicas;
Sensor de telémetro.

3. características electroeléctricas (temperatura láser de 25 ° c)

Parámetros

Símbolo

Condiciones de ensayo

El más pequeño.

Tipo.

Máximo.

Unidad

Potencia de salida óptica

Po

IF = 11mA

-

10

-

mW

Corriente umbral

ITH

-

-

1.1

-

mA

Eficiencia de la pendiente

η

-

-

1.01

-

W/A

Eficiencia de conversión de potencia

PCE

-

-

38

-

%

Longitud de onda central

λP

PO = 10mW

840

850

860

nm

Tensión positiva del láser

VF

IF = 11mA

-

2.5

2.7

V

Resistencia en serie

RS

IF = 11mA

-

60

-

Ω

Zona de descarga

-

-

-

Φ12

-

um

Divergencia del haz

( 1/e^2)

θ

IF = 11mA

 

20

-

 

Deg.

FWHM

-

-

16

 

Desplazamiento de longitud de onda

∂λP /∂T

IF = 11mA

-

-

0.07

 
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