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Fotodiodo de silicio de área actiave de 1 mm
Los fotodiodos de Si fabricados con nuestras tecnologías de proceso de semiconductores únicas cubren una amplia gama espectral desde el infrarrojo cercano hasta el ultravioleta e incluso las regiones de alta energía. También cuentan con respuesta de alta velocidad, alta sensibilidad y bajo ruido. Los fotodiodos de Si se utilizan en una amplia gama de aplicaciones que incluyen campos médicos y analíticos, mediciones científicas, comunicaciones ópticas y productos electrónicos en general.

Nombre del archivo: Formato: tamaño:

Realimentación
Caracteristicas
Alta responsabilidad;
Alta fiabilidad,
Baja corriente oscura
TO46 Paquete hermético bola / ventana plana.

Aplicaciones
Instrumento de comunicación de fibra óptica;
Medición / monitorización de la potencia óptica;
Sensor óptico.

Parámetros electro-ópticos

Parámetros

Símbolo

Condiciones

Min.

Typ.

Max.

Unidad

Responsabilidad@900

R

Vr= 0V

-

0.6

-

A/W

Corriente oscura

Id

Vr= -5V

-

0.2

1

nA

Longitud de onda

λ

-

400

950

1100

nm

Área activa

φ

-

-

1

-

mm

Ancho de banda

fc

-

-

-

-

GHz

Capacidad

C

Vr= -5V

-

10

-

pf

Tensión funcionamiento

Vr

-

-

-

-5

V

Temperaturafuncionamiento

Top

-

-30

-

+65

℃

 Temperaturaalmacenamiento

Tst

-

-40

-

+85

℃


Paquete

Paquete de cartón original;
Como requisito de clientes.

Envío
5-10 días hábiles después de recibir el pago;
Envío: Transporte aéreo (DHL / UPS / TNT / Fedex / EMS / CHINA POST);
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Pago
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Garantía
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