Fotodiodo InGaAs 5000um TO-CAN
Fotodiodos InGaAs de área grande para aplicaciones de instrumentación y detección con excelente capacidad de respuesta en la región de longitud de onda 800nm-1700nm. Las fotosensibles vienen de 500um a 5000um.
Fotodiodos de InGaAs de alta velocidad para sistemas de comunicación analógicos y digitales de alta velocidad, LAN, FDDI, instrumentación y aplicaciones de detección. Corriente oscura baja, fotodiodo de baja capacitancia y fotosensible disponible de 50um a 300um

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Realimentación
Caracteristicas
Alta fiabilidad;
Grandes diámetros activos;
Ruido bajo;
Iluminación superior planar PD.

Aplicaciones
Medidor de potencia óptica;
Prueba de espectro de respuesta;
Equipo de detección de luz espacial.

Parámetros electro-ópticos

Parámetro

Símbolo Condiciones

Min.

Typ.

Max.

Unidad

Responsabilidad

Re

λ =1310nm VR= 5V φe=10µw

0.75

-

-

A/W

λ =1550nmVR= 5V φe=10µw

0.8

-

-

A/W

Corriente oscura

Id

VR= 5V

-

-

200

nA

Longitud de onda

λ

-

900

-

1700

nm

Área activa

φ

-

-

5

-

mm

Voltaje de ruptura inversa

VBR

IR= 10µA

20

-

-

GHz

Capacidad

C

V=5V

-

-

1.5

nF

Impedancia de derivación

Rsh

VR= 10mV

1

 

 


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Como requisito de clientes.

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