Low dark current 3.2mm UV Silicon 200~1100nm fotodetector
Fotodiodo de banda ancha UV SiC con gran carcasa de metal herméticamente sellada TO5 - área del detector de 3.2 mm2.

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Realimentación
Caracteristicas
Alta confiabilidad, baja corriente oscura;
Iluminación superior Planar PIN PD;
Diámetro activo 3.2x3.2mm;
Rango espectral de 200-1100 nm;
Lata hermética TO5 con ventana UV o con receptáculo.

Aplicaciones
Sensor óptico;
Equipo de medición óptica;
Control automático industrial;
Análisis científico y experimento;
Equipo de detección de luz espacial;
Prueba de espectro de respuesta.

Parámetros electro-ópticos

Parámetros

Símbolo

Condiciónes la prueba

Valor

Unidad

Rango de detección

λd

-

200 ~ 1100

nm

Detectar área

Φ

-

3.2 x 3.2

mm

Receptividad

Re

VR=5V,λ=200nm

0.07

mA/mW

VR=5V,λ=650nm

0.38

VR=5V,λ=1064nm

0.30

Corriente oscura

ID

VR=0V

50

pA

VR=5V

1.5

nA

Tiempo de respuesta

TR

RL =50Ω,VR =5V

5

ns

Tensión de ruptura inversa

VBR

IR=10uA

100

V

Capacitancia de unión

Cj

f=1MHz, VR=0V

100

pF

Cj

f=1MHz, VR=5V

21

Potencia óptica saturada

PS

VR =5V

25

mW

Tensión de funcionamiento

VR

-

0-15

V

Resistencia de derivación

Rsh

VR =10mV

200

Paquete

Lata hermética TO5 con ventana UV


Paquete

Paquete de cartón original;
Como requisito de clientes.

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Envío: Transporte aéreo (DHL / UPS / TNT / Fedex / EMS / CHINA POST);
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