Hecho en China, fotodiodo de avalancha de área activa de silicio 1064nm 800um mejorado
Los fotodetectores de avalancha de silicio (APD) están diseñados para ofrecer mayor sensibilidad y menor ruido, lo que los hace ideales para aplicaciones con bajos niveles de potencia óptica.

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Realimentación
Caracteristicas
Alta confiabilidad, baja corriente oscura;
Iluminación superior APD planar;
Alta ganancia hasta M = 400;
1064nm receptividad 0.37A/W;
Paquete hermético TO5-Can.

Aplicaciones
Detección óptica de pulso ultra débil;
Lidar láser, búsqueda de rango láser;
Sensor de fibra óptica, OTDR;
Tomografía de coherencia óptica de alta resolución;
Análisis científico y experimento.

Parámetros electro-ópticos

Parámetros

Símbolo

Condiciónes la prueba

Min.

Typ.

Max.

Unid

Rango de detección

λ

4001100

nm

Detectar área

φ

800

μm

 

Receptividad

 

Re

λ=905nm,1μw, M=1

 

0.65

 

A/W

λ=1064nm, 1μw, M=1

 

0.37

 

A/W

 

Ganancia de multiplicación

 

M

λ=1064nm, 1μw, 0.8VBR

 

100

 

 

λ=1064nm, 1μw, 0.85VBR

 

200

 

 

Tiempo de respuesta

Tr

M=100,RL=50Ω,λ=1064nm

.

3

 

ns

Capacitancia total

Ctot

M=100,f=1MHz

 

1.5

 

pF

Voltaje de ruptura inversa

VBR

IR=10uA

220

280

580

V

Paquete

TO5-CAN


Paquete

Paquete de cartón original;
Como requisito de clientes.

Envío
5-10 días hábiles después de recibir el pago;
Envío: Transporte aéreo (DHL / UPS / TNT / Fedex / EMS / CHINA POST);
La tarifa de envío depende del peso y tamaño.


Pago
Para pedidos grandes: T / T, tarjeta de crédito;
Para pedidos pequeños: se aceptan paypal.
 
Garantía
Todos los productos han sido probados antes de su envío;
Todos los productos tienen una garantía de 1 a 3 años (después de que el período de garantía de calidad comenzó a cobrar la tarifa de servicio de mantenimiento correspondiente)
 
Reembolso y reemplazo
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