光コヒーレンストモグラフィー用の905nmシリコン材料800um雪崩光電二極
雪崩フォトダイオード(APD)は光効果を利用して光を電気エネルギーに変換する高感度の半導体フォトダイオードである。機能的観点から,それらは光電子増倍管の半導体シミュレーションと見なすことができる。

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製品の特徴
高い信頼性、低い暗い電流;
トップ照明面APD;
高利得M=300;
波長400-1100nm;
TO 46はカプセル化または光ファイバ結合が可能である。

製品の応用:
超微弱脈の光検出;
レーザー・レーダー;
光ファイバセンサ;
高分解能光コヒーレンストモグラフィー;
科学的分析と実験。

光電特性:

パラメータ

記号

テスト条件

最小値

典型値

最大値

単位

探知範囲

λ

-

400~1100  

nm

感光面

Φ

-

800

μm

応答度

Re

λ=905nm,φe=1μw, M=1

-

0.5

-

A/W

増倍ゲイン

M

λ=905nm,φe=1μw,VBR-30V

-

60

-

 

λ=905nm,φe=1μw,VBR-18V

-

100

-

 

λ=905nm,φe=1μw,VBR-3V

-

300

-

 

応答時間

TR

f=1MHz,RL=50Ω,λ=905nm

 

0.6

 

ns

暗電流

ID

M=100

 

0.7

2.0

nA

パッケージ

TO 46-ranカプセル化または光ファイバ結合


包装

段ボール箱の包装;
顧客の要求に応じて。

出荷:
5-10営業日後に支払いを受ける。
出荷:航空輸送(DHL / UPS / TNT /フェデックス/ EMS /中国POST)。
送料は、重量とサイズによって異なります。


支払い方法
大量注文の場合:T / T、クレジットカード。
小規模注文の場合:Paypalが受け入れられます。
 
保証
すべての製品は出荷前にテスト済みです。
すべての製品には1  -  3年の保証が付いています(品質保証期間の後、適切なメンテナンスサービス料を請求し始めました。)
 
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