半導体材料は電流を注入することにより、1つの帯電粒子濃度勾配を形成し、2つの帯電粒子濃度が異なる領域の間にPN接合を形成する。印加電流がPN接合を通過すると、電子と正孔がPN接合で再結合し、光子を放出し、レーザー光を形成する。

半導体レーザのパッケージ技術はレーザの正常な動作を確保し、信頼性を高める重要な一環である。一般的なパッケージ技術には、TO（金属ハウジング）、COB（チップ貼り付け）、DIP（複列直挿パッケージ）、SMD（表面貼り付けパッケージ）などがある。パッケージ技術の選択は、レーザの応用と要求に基づいて決定される。
半導体レーザは重要な光電デバイスであり、広く応用される見通しがある。絶えず研究と革新を通じて、半導体レーザの性能と信頼性は著しく向上し、通信、医療、材料加工などの分野の発展を引き続き推進する。将来的には、技術のさらなる突破に伴い、半導体レーザはより多くの応用シーンの商業化を実現し、人類社会により多くの利便性と革新をもたらすことが期待されている。