параметры

Eдиница

Ценность

Оптическая длина волны

nm

1310±25

1550±25

Потеря вставки

dB

≤ 3.5

Мак. Входная оптическая мощность

mW

≤ 200

Коэффициент расщепления луча

-

48/52 ~ 52/48

Поляризационные перекрестные помехи

dB

≤ -30

Коэффициент затухания поляризации чипа

dB

≥ 60

Отражение заднего света

dB

≤ -50

Дополнительная модуляция интенсивности

-

≤ 0.2%

Напряжение полуволны

V

≤ 4.0

Диапазон выдерживаемого напряжения электрода

V

≤ 15

Структура электрода

-

Двухтактная модуляция

Рабочая частота

MHz

0 ~ 300

Интерфейс электрического сигнала

3 PIN

Тип волокна

PM или SM

Диаметр косички

80/170 или 125/250

Рабочая Температура

℃

-45 ~ +70

Температура хранения

℃

-55 ~ +85