Полупроводниковый материал образует градиент концентрации заряженных частиц путем инъекции тока, образуя PN - узел между двумя областями с различными концентрациями заряженных частиц.  Когда дополнительный ток проходит через PN - узел, электроны и дырки комбинируются в PN - узле, излучая фотоны и образуя лазер. 

 Технология упаковки полупроводниковых лазеров является важной частью обеспечения нормальной работы лазеров и повышения надежности.  Общие технологии инкапсуляции включают TO (металлическая оболочка), COB (вставка чипа), DIP (двухрядное прямое инкапсуляция), SMD (поверхностное инкапсуляция) и так далее.  Выбор технологии упаковки зависит от применения и требований лазера.
Полупроводниковые лазеры являются важным фотоэлектрическим устройством с широким спектром применений.  Благодаря постоянным исследованиям и инновациям производительность и надежность полупроводниковых лазеров значительно улучшились, и они будут продолжать продвигать развитие в таких областях, как связь, медицина и обработка материалов.  В будущем, с дальнейшими технологическими прорывами, полупроводниковые лазеры, как ожидается, будут коммерциализировать больше сценариев применения, создавая больше удобств и инноваций для человеческого общества.