電気光学変調器（EOM）は、電気信号を介して光信号のパワー、位相、または偏光を制御するデバイスです。その基本原理は、線形電気光学効果（ポッケルス効果）に基づいています。この効果は、印加電界が非線形結晶の屈折率変化に比例することで現れ、光信号を効果的に制御します。

高出力特性を維持しながらコンパクトな全ファイバーレーザーから可視光を直接生成することは、レーザー技術において常に研究テーマとなってきました。今回、Jiらは、ホルミウム添加ZBLANフッ化物ガラスファイバーの励起機構を用いた二波長レーザーの開発方法を提案し、特に640 nm励起下で深赤色帯域で動作する全ファイバーレーザーの高出力性能を実験的に実現しました。特に、750 nmで最大連続波出力271 mWが...

半導体レーザー チップ レーザー ダイオード チップは、P-N 構造で構成され、電流によって駆動される半導体ベースのレーザーです。レーザー ダイオード パッケージは、密閉されたパッケージ ハウジングに組み立てられ、パッケージ化された完全なデバイスであり、コヒーレント光を発する半導体レーザー チップ、出力電力のフィードバック制御用の監視フォトダイオード チップ、温度監視用の温度センサー チッ...

光の偏光特性は、光の電場ベクトルの振動方向を記述したものです。

偏波保持（PM）光ファイバーの場合、入力直線偏光の偏光方向が高速軸と低速軸の中間にあると仮定すると、2 つの直交偏光成分に分解できます。下の図に示すように、2 つの光波は最初は同じ位相を持ちますが、低速軸の屈折率が高速軸の屈折率よりも大きいため、位相差は伝播距離とともに直線的に増加します。

エルビウム添加光ファイバーで発生する ASE 広帯域光は、短波長レーザー励起エルビウム添加光ファイバーで発生する増幅自然放出光です。下図に示すように、励起された希土類イオンは、上側と下側のエネルギー準位間を遷移して自然放出光を発生させ、誘導放出プロセスで増幅されます。このプロセスは連続的に繰り返され、十分な励起条件下ではかなり高い出力パワーを達成することもできます。(ASE = 増幅自然放...

活性領域材料に応じて、青色光半導体レーザーの半導体材料のバンドギャップ幅が変化するため、半導体レーザーは異なる色の光を放射することができます。

パンダ PM ファイバーとボウタイ PM ファイバーの場合、非理想的な結合条件、ファイバーへの外部応力、ファイバー内の欠陥により、光の一部の偏光方向が直交方向にシフトし、出力消光比が低下します。