参数	符号	测试条件	数值	单位
探测范围	λd	-	400 ~ 1100	nm
光敏面	Φ	-	2.5 x 2.5	mm
响应度	Re	λ=405nm	0.06	mA/mW
		λ=850nm	0.6
		λ=1064nm	0.2
暗电流	ID	VR=5V	2	nA
开路电压	VOC	Ee=1000Ix, p=940nm	0.35	V
短路电流	ISC	Ee=1000Ix, p=940nm	80	uA
逆光电流	IL	Ee=1000Ix,p=940nm,VR=5V	80	uA
响应时间	TR	RL =50Ω, VR =5V	20	ns
反向击穿电压	VBR	IR=100uA	30	V
结电容	Cj	f=1MHz, VR=5V	12	pF
工作电压	VR	-	0-10	V
封装	SMD

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