高速230um硅半导体900nm雪崩光电二极管
对于需要从400nm到1100nm的高速低噪声光子探测的应用,si-apd具有低成本和高性能。这些硅apd具有低噪声、高量子效率和高增益的特点,同时保持相当低的工作电压。

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产品特点:
高可靠性,低暗电流;
顶部照明平面APD;
高增益M=300;
波长400-1100nm;
TO46可密封封装或光纤耦合。

产品应用:
超微弱脉冲光探测;
激光雷达,激光测距;
光纤传感器;
高分辨率光学相干层析成像;
科学分析与实验。

光电特性:

参数

符号

测试报告

最小值

典型值

最大值

单位

探测范围

λ

-

400~1100  

nm

光敏面

Φ

-

230

μm

响应度

Re

λ=905nm,φe=1μw, M=1

-

0.5

-

A/W

倍增增益

M

λ=905nm,φe=1μw,VBR-30V

-

60

-

 

λ=905nm,φe=1μw,VBR-18V

-

100

-

 

λ=905nm,φe=1μw,VBR-3V

-

300

-

 

响应时间

TR

f=1MHz,RL=50Ω,λ=905nm

 

0.2

 

ns

暗电流

ID

M=100

 

0.05

1

nA

封装

TO46-Can密封封装或光纤耦合


包装:

原纸箱包装;
按客户要求。

发货:
顺丰快递,次日送达。


付款方式:
我司为一般纳税人,公账收款,开13个点增值税专用发票或者普通发票;
小金额接受私账。

如您需要了解任何产品,可咨询QQ:206348094或者电话:183 2084 9226或者微信:Boxoptronics。谢谢光顾。
 
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