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国产增强型硅1064nm 800um有源区雪崩光电探测器
硅雪崩光电探测器(APD)的设计提供了更高的灵敏度和更低的噪声,使其成为低光功率水平应用的理想选择。

文件名: 格式: 大小:

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产品特点:
高可靠性,低暗电流;
顶部照明平面APD;
高增益M=400;
波长400-1100nm;
TO5可密封封装。

产品应用:
超微弱脉冲光探测;
激光雷达,激光测距;
光纤传感器;
高分辨率光学相干层析成像;
科学分析与实验。

光电特性:

参数

符号

测试条件

最小

典型

最大

单位

波长范围

λ

—

400~1100

nm

光敏面

φ

—

800

μm

 

响应度

 

Re

λ=905nm,1μw, M=1

 

0.65

 

A/W

λ=1064nm, 1μw, M=1

 

0.37

 

A/W

 

倍增增益

 

M

λ=1064nm, 1μw, 0.8VBR

 

100

 

 

λ=1064nm, 1μw, 0.85VBR

 

200

 

 

响应时间

Tr

M=100,RL=50Ω,λ=1064nm

.

3

 

ns

电容

Ctot

M=100,f=1MHz

 

1.5

 

pF

反向击穿电压

VBR

IR=10uA

220

280

580

V

封装

TO5-CAN


包装:

原纸箱包装;
按客户要求。

发货:
顺丰快递,次日送达。


付款方式:
我司为一般纳税人,公账收款,开13个点增值税专用发票或者普通发票;
小金额接受私账。

如您需要了解任何产品,可咨询QQ:206348094或者电话:183 2084 9226或者微信:Boxoptronics。谢谢光顾。
 
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