参数 |
符号 |
测试条件 |
数值 |
单位 |
探测范围 |
λd |
- |
400 ~ 1100 |
nm |
光敏面 |
Φ |
- |
1.2 x 1.2 |
mm |
响应度 |
Re |
VR=5V,λ=650nm |
0.35 |
mA/mW |
VR=5V,λ=850nm |
0.5 |
|||
VR=5V,λ=1064nm |
0.2 |
|||
暗电流 |
ID |
VR=0V |
0.2 |
pA |
VR=5V |
60 |
|||
响应时间 |
TR |
RL =50Ω,VR =5V |
1.4 |
ps |
反向击穿电压 |
VBR |
IR=10uA |
120 |
V |
结电容 |
Cj |
f=1MHz, VR=0V |
50 |
pF |
f=1MHz, VR=5V |
6 |
|||
饱和光功率 |
PS |
VR=5V |
15 |
mW |
工作电压 |
VR |
- |
0-15 |
V |
并联电阻 |
RSh |
VR =10mV |
50 |
GΩ |
封装 |
TO46或插拔或光纤耦合 |