850nm 10mW VCSEL Diode-Box Optronics Technologieunternehmen

850nm 10mW VCSEL Diode

Vertical Cavity Surface Emitting Laser (kurz VCSEL) ist ein Halbleiter. Sein Laser wird senkrecht zur Oberseite emittiert, die sich von dem Rand emittierenden Laser unterscheidet, der in der Regel durch einen unabhängigen Spanschnitt erzeugt wird.

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Descripción Feedback

1. Merkmale:

850nm single longitudinal mode;

Oxidsolationstechnologie;

kleine Emissionsfläche;

Leicht zu kollimieren;

Modulation und Breite >2GHz.

2. Anwendungen:

Näherungssensoren;

Unterhaltungselektronik;

aktive optische Kabel;

Medizinische Anwendungen;

Entfernungsmesser.

3. Elektrooptische Eigenschaften (25C Lasertemperatur):

Parameter	Symbol	Prüfbedingungen	Min.	Typ.	Max.	Unit
Optische Ausgangsleistung	Po	IF = 11mA	-	10	-	W
Schwellenstrom	ITH	-	-	1.1	-	A
Steigungseffizienz	η	-	-	1.01	-	W/A
Leistungsumwandlungseffizienz	PCE	-	-	38	-	%
Mittelwellenlänge	P	PO = 10mW	840	850	860	nm
Laser-Vorwärtsspannung	VF	IF = 11mA	-	2.5	2.7	V

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