InGaAs 0.5mm 800-2600 nm PIN-Fotodetektor-Box Optronics Technologieunternehmen

InGaAs 0.5mm 800-2600 nm PIN-Fotodetektor

Die Fotodiode ist eine Halbleitervorrichtung, die eine nahezu lineare Beziehung zwischen Strom und empfangener optischer Leistung aufweist.

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Eigenschaften

Geräuscharm, hohe Zuverlässigkeit;

Topillumination planar PIN PD;

0.5 mm aktiver Bereich;

Schneiden Sie die Wellenlänge auf 2.6um ab.

Anwendungen

Gasanalysator;

Umgebungsmessung;

Wissenschaftliche Analyse und Experiment;

Raumlichterkennungsausrüstung;

Optischer Leistungsmesser;

NIR-Photometrie;

Lichtleitersensor.

Elektrooptische Parameter

Parameter	symbol	Einheit	Wert(typ.)
Aktiver Durchmesser	Φ	um	500
Spektralbereich	λ	nm	800-2600
Reaktionsfähigkeit	Re (V_R=0.5V,λ=1310nm )	mA/mW	0.5
	Re(V_R=0.5V,λ=2300nm)	mA/mW	1.1
Reaktionszeit	Tr (R_L=50Ω, VR=0.5V)	ns	20
Dunkle Strömung	ID(V_R=0.5V)	uA	1
Durchbruchspannung umkehren	V_BR (I_R=10uA)	V	1
Übergangskapazität	Cj (f=1MHz, V_R=0.5V)	nF	0.2
Betriebsspannung	V_R	v	0-0.5
Nebenschlussimpedanz	Rsh (V_R=10mV)	KΩ	30
Paket	TO-46

Paket

Original Kartonverpackung;

Als Anforderung der Kunden.

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