1мм активная зона 800-2600 нм фотодиод для газоанализатора-Empresa de Tecnología Box Optronics

1мм активная зона 800-2600 нм фотодиод для газоанализатора

El fotodetector basado en GaAs Metal-Semiconductor Field Effect Transistor (MESFET), con muy alta capacidad de respuesta, excelente eficiencia cuántica, alta sensibilidad, velocidad moderada, ganancia tremenda y baja disipación de potencia, superando su fotodiodo, fototransistor y otros equivalentes.

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Realimentación

Caracteristicas

Bajo nivel de ruido, alta fiabilidad;

Topillumination planar PIN PD;

Área activa de 0.5 mm;

Cortar la longitud de onda a 2.6um.

Aplicaciones

Analizador de gas;

Medición del ambiente;

Análisis científico y experimento;

Equipo de detección de luz espacial;

Medidor de potencia óptica;

Fotometría NIR;

Sensor de fibra óptica.

Parámetros electro-ópticos

Parámetro	símbolo	Unidad	Tipo de valor.
Diámetro activo	Φ	mm	1
Rango espectral	λ	nm	800-2600
Receptividad	Re (V_R=0.5V,λ=1310nm )	mA/mW	0.5
	Re(V_R=0.5V,λ=2300nm)	mA/mW	1.1
Tiempo de respuesta	Tr (R_L=50Ω, VR=0.5V)	ns	100
Corriente oscura	ID(V_R=0.5V)	uA	5
Voltaje de ruptura inversa	V_BR (I_R=10uA)	V	1
Capacitancia de unión	Cj (f=1MHz, V_R=0.5V)	nF	0.5
Tensión de funcionamiento	V_R	v	0-0.5
Impedancia de derivación	Rsh (V_R=10mV)	KΩ	3
Paquete	TO-46

Paquete

Paquete de cartón original;

Como requisito de clientes.

Envío

5-10 días hábiles después de recibir el pago;

Envío: Transporte aéreo (DHL / UPS / TNT / Fedex / EMS / CHINA POST);

La tarifa de envío depende del peso y tamaño.

Pago

Para pedidos grandes: T / T, tarjeta de crédito;

Para pedidos pequeños: se aceptan paypal.

Garantía

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Todos los productos tienen una garantía de 1 a 3 años (después de que el período de garantía de calidad comenzó a cobrar la tarifa de servicio de mantenimiento correspondiente)

Reembolso y reemplazo

Apreciamos su negocio y ofrecemos una política de devolución instantánea de 7 días. (7 días después de recibir los artículos);

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