Alta velocidad 230um Si semiconductor 900nm APD avalancha fotodiodo
Los APD si ofrecen el bajo costo y el alto rendimiento para aplicaciones que requieren detección de fotones de alta velocidad y bajo nivel de ruido desde 400 nm hasta 1100 nm. Estos APD de silicio presentan bajo ruido, alta eficiencia cuántica y alta ganancia, manteniendo un voltaje de operación razonablemente bajo.

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Realimentación
Caracteristicas
Alta confiabilidad, baja corriente oscura;
Iluminación superior APD planar;
Alta ganancia hasta M = 300;
Longitud de onda 400-1100nm;
Paquete hermético TO46-Can o acoplamiento de fibra.

Aplicaciones
Detección óptica de pulso ultra débil;
Lidar láser, búsqueda de rango láser;
Sensor de fibra óptica, OTDR;
Tomografía de coherencia óptica de alta resolución;
Análisis científico y experimento.

Parámetros electro-ópticos

Parámetros

Símbolo

Condiciónes la prueba

Min.

Typ.

Max.

Unidad

Rango de detección

λ

-

400~1100  

nm

Detectar área

Φ

-

230

μm

Receptividad

Re

λ=905nm,φe=1μw, M=1

-

0.5

-

A/W

Ganancia de multiplicación

M

λ=905nm,φe=1μw,VBR-30V

-

60

-

 

λ=905nm,φe=1μw,VBR-18V

-

100

-

 

λ=905nm,φe=1μw,VBR-3V

-

300

-

 

Tiempo de respuesta

TR

f=1MHz,RL=50Ω,λ=905nm

 

0.2

 

ns

Corriente oscura

ID

M=100

 

0.05

1

nA

Paquete

Paquete hermético TO46-Can o acoplamiento de fibra


Paquete

Paquete de cartón original;
Como requisito de clientes.

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Envío: Transporte aéreo (DHL / UPS / TNT / Fedex / EMS / CHINA POST);
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Para pedidos pequeños: se aceptan paypal.
 
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